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2012-2013年度先进女职工候选人——冯倩事迹材料
发布时间: 2013-12-23 16:30

冯倩,女,1976年12月出生于西安市,1997年毕业于西安电子科技大学光电子技术专业,2004年3月获得微电子学与固体电子学博士学位,同年留在教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室工作,研究领域为氮化镓基宽禁带相关材料与器件的研究。

自从任教以来,能够以党员的守则严格要求自己,在思想上与党中央保持一致,认真学习学校下发的政策文件汇编,努力认真学习党的路线、方针、政策,进一步提高了自己的政治思想水平,坚定了对马克思主义的信仰,坚定了对社会主义的信念,更深刻地认识到理论上的成熟是政治上成熟的基础。

在教学方面,任职以来曾经担任了《光学》、《线性代数》和《科技英语》的主讲工作,对所带课程能够做到上课前认真备课,熟悉教材内容,掌握重点和难点,制定合理的课时安排。在讲授新知识的过程中尽量做到在系统讲述的基础上重点突出,难点分散。关键内容反复强调,并注意学生听课时的反应及时调整讲授速度和方法以便学生更好地接受。课后认真批改学生作业,详细统计交作业的人数和质量,掌握学生对所学知识的领悟程度。在2010年微电子学院举办的“青年教师讲课比赛”中获得“优秀奖”。近5年来共指导硕士研究生19名,指导本科毕业设计30人,5年总教学工作量达到2046学时,年均409学时。

在完成基本教学工作的基础上,先后主持并参与了国家科技重大专项、国防预研、973计划、国防基础科研等项目,分列如下:

(1) 国防预先研究,“星用*****”,2013.1~2015.12(主持)

(2) 西安应用材料基金,“基于S波段绝缘栅AlGaN/GaN HEMT器件的研究”,2007.1~2008.12(主持)

(3) 基本科研业务费,“GaN纳米晶太阳能电池的研究”,2011.6~2013.6(主持)

(4) 国防预先研究,“*****器件研究”,2006.1~2010.12(排名第二)

(5) 国防预先研究,“空间*****研究”,2011.01~2015.12(排名第二)

(6) 国防基础科研,“******器件研究”,2006.01~2008.12(排名第二)

(7) 国防创新团队资助项目,“大尺寸***研究”,2010.1~2011.12 (排名第二)

(8) 国防预先研究,“新型***研究”,2011.01~2015.12,(排名第三)

(9) 国防预先研究,“***材料研究”,2006.1~2010.12(排名第三)

(10)国防预先研究,“**电池辐照**”,2011.01~2015.12(排名第二)

(11)国家科技重大专项,“***器件研究”,2008.01~2013.12(排名第三)

(12)国家科技重大专项,“***器件”,2011.01~2013.12(排名第三)

发表的论文:

(1)The reduction of gate leakage of AlGaNGaN metal-insulator-semiconductor high mobility transistors by N2plasma pretreatment,Semiconductor Science and Technology(国际期刊),Vol.24,No.1,2009(SCI: 000262582700031)(排名第一)

(2) The improvement of ohmic contact of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMT by multi-step annealing method, Solid State Electronics(国际期刊),Vol.53,No.6,2009(SCI: 000269091900007)(排名第一)

(3)Electrical characteristics of AlGaN-GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor using La2O3 gate dielectric, Science China E, Vol.56,No.3,2013(SCI: 000314913900018) (排名第一)

(4)Interface states in AlGaN-GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors, Chinese Physics Letters ,Vol.30,No.12,2013, (排名第一)

(5)Performance of La2O3/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors, Chinese Physics B, Vol.21,No.6,2012(SCI: 000305403900074) (排名第一)

(6) A study of GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited Al2O3as the gate dielectric,Chinese Physics B,Vol.21,NO.1,2012(SCI: 000300258200070), (排名第一)

(7) The improvement of Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT performance by N2plasma pretreatment, Chinese Physics B,Vol.18,NO.7,2009(SCI: 000267821200066) ,(排名第一)

(8) Al2O3绝缘层的AlGaN -GaN MOSHEMT器件研究, 物理学报, Vol.57,NO.3,2008(SCI:000254097000098) ,(排名第一)

(9) AlGaN-GaN MIS- HEMT using NbAlO dielectric layer grown by atomic layer deposition, Chinese Physics B,Vol.19,No.7,2010((SCI: 000280186500082),(排名第二)

(10) Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响, 物理学报, Vol.19,No.7,2009(SCI:000270876900090),(排名第二)

(11)The effects of proton irradiation on the electrical properties of NbAlO/AlGaN/GaN MISHEMT,Science China G,Vol.55,No.1,2012(SCI:000298603400008),(排名第二)

(12)GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系,物理学报,Vol.56,No.5,2007(SCI:000246600400072)(排名第二)

(13)高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析AlGaN/GaN异质结,物理学报,Vol.56,No.5,2007(SCI:000246600400071)(排名第二)

(14)Ni/Au肖特基表面处理及退火研究,,物理学报,Vol.55,No.11,2006(SCI:000241880000085)(排名第二)

(15)The passivation mechanism of nitrogen ions on the gate leakage current of HfO2/AlGaN/GaN MOSHEMT,Science China G,Vol.54,No.11,2011(SCI:000297361000009)(排名第三)

(16)Investigations of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor using NbAlO/Al2O3 laminated dielectric by Atomic layer deposition,Chinese Physics Letter,Vol.29,No.2,2012(SCI:000300619100061)(排名第三)

(17)GaN MOSHEMT using ultrathin Al2O3dielectric grown by atomic layer deposition,Chinese Physics Letter,Vol.24,No.8,2007(SCI:000248657500072) (排名第三)

(18) Study of GaN MOS-HEMT using ultrathin Al2O3dielectric grown by atomic layer deposition, Science in China, Vol.39,No.2,2009(SCI:000268983800036) (排名第三)

(19) AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究, 物理学报, Vol.57 No.7,2008(SCI:000257439600084) (排名第三)

(20) 场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理, 物理学报, Vol.57 No.1,2008(SCI: 000252344800074) (排名第三)

(21) AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析, 物理学报, Vol.57 No.4,2008(SCI检索号000255087200075), (排名第三)

(22) Reliability analysis of GaN based light emitting diodes for solid state illumination, Chinese Physics B, Vol.17 No.7,2008(SCI检索号000257843000056) , (排名第三)

(23) 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究, 物理学报, Vol.56,No.6,2007(SCI检索号000247302500073) , (排名第三)

(24) Development and characteristics analysis of recessed-gate MOSHEMT, Journal of semiconductors, Vol.30 No.5,2009(EI检索号:20092212098795)

(25) 微波和高温器件的一种空气桥互连方法,半导体学报, Vol.29 No.2,2008(EI:20081311170534) , (排名第三)

(26) 感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN, 西安电子科技大学学报, Vol.33 No.4,2006(EI检索号20064210184889) , (排名第三)

(27) The improvement of ohmic contact of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMT by multi-step annealing method, The International Society for Optical Engineering, Vol.7518,2009(EI:20095012547167) , (排名第一)

(28)Polymer-GaN bulk heterojunction photovoltaic cells,Advanced Materials Research,Vol.773,2013(EI: 20134116835186) (排名第一)

授权/申请的专利:

(1)化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法(发明专利),专利号:专利号:ZL20071018147.3

(2)GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法(发明专利),专利号:ZL200510096232.2

(3)III-V族化合物材料上原位淀积SiO2和金属膜的方法(发明专利),专利号:ZL200510042671.

(4)GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法(发明专利),专利号:ZL200510096233.7

(5)磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法(发明专利),专利号:ZL200510096234.1

(6)氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法(发明专利),申请号:201210010844.5

(7)无机与有机混合太阳能电池(发明专利),申请号:201210010929.3

(8)基于GaN纳米柱结构的染料敏化太阳能电池的制作方法(发明专利),申请号:201210133078.1

(9)GaN纳米柱反转结构的混合太阳能电池的制作方法(发明专利),申请号:201210131229.x

获得的奖励

(1) 氮化物宽禁带半导体微波功率器件外延技术与核心设备,2009年,国家技术发明奖二等奖(排名第五)

(2) 氮化镓基半导体材料核心设备与生长技术,2008年教育部科学技术进步奖二等奖(排名第六)

(3) AlGaN/GaN新型微波器件及关键技术研究,2006年国防科技进步奖二等奖(排名第三)

(4) 高亮度GaN蓝光LED技术,2006年陕西省科学技术奖一等奖(排名第四)

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